mos管工作原理与场效应管区别（mos管工作原理）

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大家好，小纵来为大家解答以上问题。mos管工作原理与场效应管区别，mos管工作原理这个很多人还不清楚，现在一起跟着小编来瞧瞧吧！

1、Mos管利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，进而达到控制漏极电流的目的。

2、MOS管是MOSFET的缩写。

3、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，简称金属氧化物半导体场效应晶体管。

4、一般是金属氧化物半导体场效应晶体管，或者金属绝缘体半导体。

5、G: gate门；S: source来源；d:沥干。

6、MOS晶体管的源极(源极)和漏极(耗尽层)可以切换，都是P型背栅中形成的N型区。

7、在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端切换，器件的性能也不会受到影响。

8、这种器件被认为是对称的。

9、场效应晶体管分为PMOS晶体管和NMOS晶体管，属于绝缘栅场效应晶体管。

关于mos管工作原理与场效应管区别，mos管工作原理的介绍到此结束，希望对大家有所帮助。

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